KERSYS, T.; ANILIONIS, R.; EIDUKAS, D. Simulation of Doped Si Oxidation in Nano-dimension Scale. Elektronika ir Elektrotechnika, [S. l.], v. 84, n. 4, p. 43-46, 2008. Disponível em: https://eejournal.ktu.lt/index.php/elt/article/view/11126. Acesso em: 24 nov. 2024.