Reaktyvaus Si mikrooptinių struktūrų ėsdinimo SF6/Ar, N2, He, O2 dujų plazmoje įtakos difrakcijos efektyvumui tyrimas - Grigaliūnas, V.; Kopustinskas, V.; Andrulevičius, M.; Margelevičius, J. (Elektronika ir Elektrotechnika, 1998)
Silicio mikrooptinių struktūrų reaktyviam joniniam-plazminiam ėsdinimui (RJĖ) buvo naudojama SF6 dujų plazma, o ėsdinimo kryptingumui valdyti bei AD išlydžiui stabilizuoti - inertinės Ar, N2, He dujos bei O2. Gautų mikrooptinių struktūrų profiliai buvo matuojami skenuojančiuoju elektroniniu mikroskopu (SEM) JEOL JSM - IC25S, o mikrooptinių struktūrų santykinio difrakcijos efektyvumo matavimai buvo atliekami helio ir neono lazeriu (*=632,8 nm). Nustatyta, kad į SF6 dujų plazmą įleidus priemaišines N2 dujas (iki 20%), Si mikrooptinių struktūrų ėsdinimo kryptingumo koeficientas padidėja (K=24). Naudojant priemaišines Ar, He, O2 dujas, ėsdinimo kryptingumo koeficientas sumažėja. Didžiausias santykinis difrakcijos efektyvumo koeficientas gautas SF6+20%He ir SF6+20%N2 dujų mišinių plazmos RJĖ, kai ėsdinamų mikrooptinių struktūrų kanalų gylis yra nuo 1,5 iki 2,0 *m.