Juostinių linijų su puslaidininkiniais padėklais skaitinis tyrimas

  • L. Nickelson Puslaidininkių fizikos institutas
  • M. Tamošiūnienė Puslaidininkių fizikos institutas
  • S. Ašmontas Puslaidininkių fizikos institutas
  • V. Tamošiūnas Puslaidininkių fizikos institutas

Abstract

Darbe singuliarinių integralinių lygčių metodais ištirtos atvirosios mikrojuostelinės ir plyšinės linijos su n-Si padėklais. Mikrojuostelinės linijos ištirtos taikant kvazi-TEM artinį, o plyšinės – elektrodinamiškai griežtai. Gautus rezultatus palyginus su eksperimento, atlikto Puslaidininkių fizikos institute, rezultatais, buvo patikrintas plyšinių linijų tyrimo algoritmas. Nustatyta mikrojuostelinės linijos kompleksinės banginės varžos priklausomybė nuo padėklo medžiagos savitosios varžos, kai skyrėsi juostinio laidininko plotis. Taip pat ištirtos plyšinės linijos su skirtingo pločio plyšiu. Skaičiavimo rezultatai parodė, kad modų, galinčių sklisti plyšine linija, skaičius gali didėti ir platinant, ir siaurinant plyšį. Plyšinių linijų juostiniai laidininkai buvo nevienodo pločio. Jų atstumas nuo abiejų padėklo šonų buvo nevienodas. Nustatyta, kad keičiant ištirtųjų plyšinių linijų plyšio plotį, galima padidinti skirtumą tarp pirmosios ir antrosios aukštesniųjų modų išilginių sklidimo konstantų, taip pat ir tarp pirmosios ir antrosios aukštesniųjų modų skersinių sklidimo konstantų. Pastebėta, jog, keičiant ištirtųjų plyšinių linijų plyšio plotį, galima pasiekti, kad linija sklistų tik viena moda, kai signalo dažnis f = 37,5 GHZ. Il. 10, bibl.16 (lietuvių kalba; santraukos lietuvių, anglų ir rusų k.).

Author Biographies

L. Nickelson, Puslaidininkių fizikos institutas
M. Tamošiūnienė, Puslaidininkių fizikos institutas
S. Ašmontas, Puslaidininkių fizikos institutas
V. Tamošiūnas, Puslaidininkių fizikos institutas
Published
2004-01-03
How to Cite
Nickelson, L., Tamošiūnienė, M., Ašmontas, S., & Tamošiūnas, V. (2004). Juostinių linijų su puslaidininkiniais padėklais skaitinis tyrimas. Elektronika Ir Elektrotechnika, 50(1). Retrieved from http://eejournal.ktu.lt/index.php/elt/article/view/10991
Section
T 191 HIGH FREQUENCY TECHNOLOGY, MICROWAVES